原理

依据阳极层线性封闭漂移理论，气体在离子中的阴阳极之间通过。其阳极的正电压与加在内外阴极端部间的强磁场相互作用，产

生等离子体，来自与等离子体中的离子受阳极电场的驱动，由离子源中产生喷出的离子東流。

用途

可作为基片表面的清洁离子清洗源。

可在柔性基片上直接锼 DLC 和光学膜、氧化物、氨化物等作为磁控溅射过程中的离子辅助沉积。

特性

低气压、低电压、高束流。阳极层离子源产生的低能量、大東流的离子東可以有效去除基片表面的有机污染物和氧化层，增加薄

膜的附着力，同时避免对基片轰击时造成损伤(如平板显示器镀膜、柔性基材镀膜)。

无灯丝、栅极及中和栅，可长时间稳定运行和生产。非常高的平均无故障时间和极低的维护成本。由于阳极膜离子源无需灯丝，

空心阴极等电子中和器而且水冷完全，所以其对镀膜环境的温度改变很好。这个特性对温度敏感基片的镀膜非常有利。同样道理，没

有电子中和器使其可以长时间免维护工作。

可适应各种反应气体和惰性气体。阳极层离子源的机构和材料组成使得其完全适应绝大部分反应气体，如氮气、氧气及氙气等。

离子源长度可根据用户需要制造。