射频离子源技术参数23cm:
Beam电流:150~1500mA
Beam电压:100~1800V
离子源射频功率:50~1200W
中和器Emission电流:200~3000mA
连续无保养工作时长:50~100+小时
射频离子源使用环境:
1路氧气、2路气气，纯度>99.99%
ACC电压:100~1500V(注意ACC必频2100)
中和比E/B:100~200%
中和器射频功率:45~200W
离子热辐射温度(>400mm工作距离):<70C
电力:380V+5%，3相5线5Kw
冷却水:射频线圈>1L/min，离子源本体>3L/min，水温<25C
进出水压差>0.2~0.4Mpa
射频离子源是利用高频电场作用于气体分子时，使气体分子被加速，从而使其获得能量跃迁至高能态，在高能态下电子与
分子中的原子核发生碰撞，使原子核获得足够的能量从而离开原子成为离子，这些离子会被高频电场加速并聚集在离子源出口
处，通过ACC极板抽出正离子形成离子流，成都天一国泰RF射频离子源为无灯丝离子源，可提供高能量低浓度的宽束离子束，
可提高致密、光滑、无针孔耐用的薄膜，无需偏压衬底，可极大改善薄膜的光透射,、均匀性、附着力等，非常适用于复杂精密
的多层薄膜备制，可彻底摆脱热阴极的寿命短板，离子源可在多重工作气体环境下长期稳定工作，可在特定环境下实现超过
100小时无保养连续稳定工作，非常适合高精密光学、科研及军工等领域的应用。
